OXYGEN-DOPED AMORPHOUS CARBON FILM AND METHOD OF DEPOSITING THE SAME

본 발명의 일실시예에 따른 산소 도핑 비정질 탄소막 증착 방법은 (a) 공정 챔버 내에 기판을 로딩하는 단계; (b) 상기 공정 챔버 내부를 진공화하는 단계; 및(c) 상기 공정 챔버 내에서 탄화수소 가스를 플라즈마화하여 상기 기판 상에 비정질 탄소막을 증착하는 단계;를 포함하고, 상기 (c) 단계에서 상기 탄화수소 가스와 함께 산소 소스를 플라즈마화하여 증착되는 비정질 탄소막에 산소가 도핑되도록 하는 것을 특징으로 한다. Disclosed is a method for depositing an amorphous carbon film, the method including: (a) loading a substrate into a process chamber; (b) vacuumizing an inner space of the process chamber; and (c) converting hydrocarbon gas into plasma in the process chamber to deposit an amorphous carbon film on the substrate, wherein in the step (c), an oxygen-containing source is converted into plasma to dope oxygen into the deposited amorphous carbon film.