Integrated circuit device and method of manufacturing the same

일부 실시예들에 따른 집적회로 소자는, 제1 수평 방향으로 연장되는 후면 배선 구조물; 상기 후면 배선 구조물 상에 배치되고, 상기 제1 수평 방향으로 연장되는 복수의 핀 구조물을 포함하는 절연 기판; 상기 복수의 핀 구조물 사이에 배치되는 소자 분리막; 상기 복수의 핀 구조물의 상면을 덮는 하부 절연막; 상기 절연 기판 상에서 상기 제1 수평 방향에 수직인 제2 수평 방향으로 연장되는 복수의 게이트 구조물; 상기 하부 절연막 상에 배치되며, 상기 복수의 게이트 구조물에 의해 포위되는 복수의 나노시트 스택; 상기 절연 기판 상에 배치되며, 상기 복수의 나노시트 스택 사이에 배치되는 바디부, 및 상기 하부 절연막을 관통하고 상기 핀 구조물의 일부를 관통하는 수직 연장부를 포함하는 제1 소스/드레인 영역; 상기 제1 소스/드레인 영역의 상기 수직 연장부를 둘러싸는 반도체 에피택셜 구조물; 및 상기 반도체 에피택셜 구조물과 상기 후면 배선 구조물을 연결하는 하부 콘택;을 포함한다. An integrated circuit device includes: a rear wiring structure; an insulating substrate including fin structures disposed on the rear wiring structure and extending in a first horizontal direction; a device isolation layer disposed between the fin structures; a lower insulating layer covering the fin structures; gate structures extending in a second horizontal direction crossing the first horizontal direction; a plurality of nanosheet stacks disposed on the lower insulating layer; a first source/drain region disposed on the insulating substrate and including a body portion and a vertical extension portion, wherein the body portion is disposed between the plurality of nanosheet stacks, and the vertical extension portion passes through the lower insulating layer and through some of the fin structures; a semiconductor epitaxial structure at least partially surrounding the vertical extension portion of the first source/drain region; and a lower contact connecting the semiconductor epitaxial structure with the rear wiring structure.