ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

본 발명은, 에칭에 의한 개구의 형상 제어를 향상시키는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 개시되는 에칭 방법은, 제1 재료를 포함함과 더불어 개구를 갖는 제1 영역 및, 제1 재료와는 상이한 제2 재료를 포함함과 더불어 제1 영역의 아래쪽에 위치하는 제2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 공정과, 탄소 함유 가스, 할로겐화 금속 가스, 및 할로겐을 스캐빈지하는 할로겐 스캐빈지 가스를 포함하는 처리 가스로부터 생성되는 플라즈마를 기판 상에 공급함으로써, 탄소 함유층, 및 탄소 함유층보다 아래쪽에 위치하는 금속 함유층을 개구의 측벽에 형성함과 더불어, 개구를 통해 제2 영역을 에칭하는 공정을 포함한다. An etching method includes providing a substrate including a first region and a second region below the first region, the first region containing a first material and having an opening, and the second region containing a second material different from the first material, and etching the second region through the opening while forming a carbon-containing layer and a metal-containing layer below the carbon-containing layer on a sidewall of the opening, by supplying, onto the substrate, plasma generated from a processing gas containing a carbon-containing gas, a metal halide gas, and a halogen scavenging gas that scavenges halogen.