레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 산 확산 제어제

레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 산 확산 제어제

수지 성분 (A1) 과, pka 가 0.50 이상인 카르복실산을 발생 산으로 하는, 일반식 (d0) 으로 나타내는 광 붕괴성 염기 (D0) 을 함유하는, 레지스트 조성물. [화학식 1] JPEGpct00067.jpg33105 식 중, Rm 은, 수소 원자 또는 하이드록시기이다. X0 은, 브롬 원자 또는 요오드 원자이다. Yd0 은, 2 가의 연결기 또는 단결합이다. Rb1 은, 불소 원자 또는 불소화 알킬기이다. p01 은, 1 ∼ 5 의 정수이다. Rb2 및 Rb3 은, 탄화수소기이다. 단, 적어도 1 개의 Rb1 은, 벤젠 고...

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Hauptverfasser: ODASHIMA RIN, KATO HIROKI
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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creator ODASHIMA RIN
KATO HIROKI
description 수지 성분 (A1) 과, pka 가 0.50 이상인 카르복실산을 발생 산으로 하는, 일반식 (d0) 으로 나타내는 광 붕괴성 염기 (D0) 을 함유하는, 레지스트 조성물. [화학식 1] JPEGpct00067.jpg33105 식 중, Rm 은, 수소 원자 또는 하이드록시기이다. X0 은, 브롬 원자 또는 요오드 원자이다. Yd0 은, 2 가의 연결기 또는 단결합이다. Rb1 은, 불소 원자 또는 불소화 알킬기이다. p01 은, 1 ∼ 5 의 정수이다. Rb2 및 Rb3 은, 탄화수소기이다. 단, 적어도 1 개의 Rb1 은, 벤젠 고리의 오르토 위치 또는 메타 위치에 결합하고, 식 중의 황 원자에 결합하는 방향 고리에 결합하고 있는 -F 및/또는 -CFRx1Rx2 에 포함되는 전체 불소 원자의 수는, 3 개 이상이다. Rx1 및 Rx2 는, 불소 원자 또는 수소 원자이다. A resist composition containing a resin component (A1) and a photodecomposable base (D0) represented by General Formula (d0) that generates a carboxylic acid having a pKa of 0.50 or more as a generated acid. In the formula, Rm represents a hydrogen atom or a hydroxy group, X0 represents a bromine atom or an iodine atom, Yd0 represents a divalent linking group or a single bond, Rb1 represents a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, p01 represents an integer in a range of 1 to 5, and Rb2 and Rb3 are hydrocarbon groups, provided that at least one Rb1 is bonded to an ortho-position or a meta-position of a benzene ring, and the number of all fluorine atoms contained in -F and/or -CFRx1Rx2 bonded to an aromatic ring bonded to the sulfur atom in the formula is 3 or more, and Rx1 and Rx2 represent a fluorine atom or a hydrogen atom
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