레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 고분자 화합물 및 화합물

노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A1) 을 함유하고, 상기 수지 성분 (A1) 은, 하기 일반식 (a0) 으로 나타내는 화합물로부터 유도되는 구성 단위 (a0) 를 갖는, 레지스트 조성물 TIFFpct00106.tif32115 (식 중, W 는 중합성기이다. Ar 은, 방향족 탄화수소기이다. -OH 는, 하이드록시기이다. La0 는, 2 가의 연결기이다. Ya0 는, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Ra01 및 Ra02 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자 또는 불소화알킬기이다. n0 는, 1 ∼ 4 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm＋ 는 m 가의 유기 카티온이다). A resist composition which generates an acid upon exposure to light and whose solubility in a developing solution is changed under action of an acid, the resist composition containing a resin component whose solubility in a developing solution is changed under action of an acid, in which the resin component has a constitutional unit derived from a compound represented by General Formula (a0) in which W represents a polymerizable group, Ar represents an aromatic hydrocarbon group, -OH represents a hydroxy group, La0 represents a divalent linking group, Ya0 represents a single bond or a divalent linking group, Ra01 and Ra02 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group, n0 represents an integer in a range of 1 to 4, m represents an integer of 1 or more, and Mm+ represents an m-valent organic cation.