CMP MICRO-LAYER CMP POLISHING SUBPAD

폴리싱 패드는 중합체 매트릭스, 반도체 기판, 자기 기판 및 광학 기판 중 적어도 하나를 폴리싱하기에 유용한 폴리싱 표면, 및 하부 표면을 갖고; 다공성 서브패드가 폴리싱 패드의 하부 표면에 접착된다. 다공성 서브패드는 폴리싱 패드를 다공성 서브패드에 고정하기 위한 비다공성 마이크로층을 포함한다. 다공성 중합체 네트워크는 i) 폴리싱 패드의 하부 표면으로부터 다공성 서브패드로 압축력을 전달하기 위한, 비다공성 마이크로층에 인접한 폐쇄 셀 마이크로기공의 단일층; 및 ii) 폐쇄 셀 마이크로기공의 단일층에 인접한, 폐쇄 셀 마이크로기공, 개방 셀 마이크로기공, 또는 폐쇄 마이크로기공과 개방 마이크로기공의 혼합물의 다중층을 포함한다. The polishing pad has a polymeric matrix, a polishing surface useful for polishing at least one of semiconductor, magnetic and optical substrates and a bottom surface; a porous subpad adhered to the bottom surface of the polishing pad. The porous subpad includes a nonporous microlayer for securing the polishing pad to the porous subpad. The porous polymer network contains i) a single layer of closed cell micropores adjacent the nonporous microlayer for transitioning compressive forces from the bottom surface of the polishing pad to the porous subpad; and ii) a multilayer of closed cell, open cell or a mixture of closed and open cell micropores adjacent the single layer of closed cell micropores.