PLASMA RESISTANT GLASS PARTS AT CHAMBER INSIDE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시키고, 적절한 유전 상수를 가지며, 용융물의 점도를 조절하여 성형성을 향상시킨 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다....
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| Hauptverfasser: | , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
| Schlagworte: | |
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| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | KIM DAE GEAN LEE KYUNG MIN NA HYE IN SEOK HYE WON |
| description | 본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시키고, 적절한 유전 상수를 가지며, 용융물의 점도를 조절하여 성형성을 향상시킨 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20240055626A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20240055626A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20240055626A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNizELwjAQhbs4iPofDpyFUq37mVyaoEnK5TqXInESLVTw79vBycnp8b73vWXxbi-YPAJTckkwCDQzSNAiSwIUUBb9iRhcSE4TmMiQyDsVg-6UzM1j6Awq6diFBlqOiuY_Bv2zeBIbNYglpmjWxeI23Ke8-eaq2BoSZXd5fPZ5GodrfuRXf-aqrA5lWdfH6oj7_6wPcoE66g</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>PLASMA RESISTANT GLASS PARTS AT CHAMBER INSIDE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF</title><source>esp@cenet</source><creator>KIM DAE GEAN ; LEE KYUNG MIN ; NA HYE IN ; SEOK HYE WON</creator><creatorcontrib>KIM DAE GEAN ; LEE KYUNG MIN ; NA HYE IN ; SEOK HYE WON</creatorcontrib><description>본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시키고, 적절한 유전 상수를 가지며, 용융물의 점도를 조절하여 성형성을 향상시킨 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다.</description><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS ; CHEMISTRY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GLASS ; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS ; MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES ; METALLURGY ; MINERAL OR SLAG WOOL ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS ; SURFACE TREATMENT OF GLASS</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240429&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240055626A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240429&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240055626A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KIM DAE GEAN</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE KYUNG MIN</creatorcontrib><creatorcontrib>NA HYE IN</creatorcontrib><creatorcontrib>SEOK HYE WON</creatorcontrib><title>PLASMA RESISTANT GLASS PARTS AT CHAMBER INSIDE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF</title><description>본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시키고, 적절한 유전 상수를 가지며, 용융물의 점도를 조절하여 성형성을 향상시킨 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GLASS</subject><subject>JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS</subject><subject>MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MINERAL OR SLAG WOOL</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF GLASS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNizELwjAQhbs4iPofDpyFUq37mVyaoEnK5TqXInESLVTw79vBycnp8b73vWXxbi-YPAJTckkwCDQzSNAiSwIUUBb9iRhcSE4TmMiQyDsVg-6UzM1j6Awq6diFBlqOiuY_Bv2zeBIbNYglpmjWxeI23Ke8-eaq2BoSZXd5fPZ5GodrfuRXf-aqrA5lWdfH6oj7_6wPcoE66g</recordid><startdate>20240429</startdate><enddate>20240429</enddate><creator>KIM DAE GEAN</creator><creator>LEE KYUNG MIN</creator><creator>NA HYE IN</creator><creator>SEOK HYE WON</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240429</creationdate><title>PLASMA RESISTANT GLASS PARTS AT CHAMBER INSIDE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF</title><author>KIM DAE GEAN ; LEE KYUNG MIN ; NA HYE IN ; SEOK HYE WON</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240055626A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GLASS</topic><topic>JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS</topic><topic>MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MINERAL OR SLAG WOOL</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF GLASS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KIM DAE GEAN</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE KYUNG MIN</creatorcontrib><creatorcontrib>NA HYE IN</creatorcontrib><creatorcontrib>SEOK HYE WON</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KIM DAE GEAN</au><au>LEE KYUNG MIN</au><au>NA HYE IN</au><au>SEOK HYE WON</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PLASMA RESISTANT GLASS PARTS AT CHAMBER INSIDE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF</title><date>2024-04-29</date><risdate>2024</risdate><abstract>본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시키고, 적절한 유전 상수를 가지며, 용융물의 점도를 조절하여 성형성을 향상시킨 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; kor |
| recordid | cdi_epo_espacenet_KR20240055626A |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS CHEMISTRY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GLASS JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES METALLURGY MINERAL OR SLAG WOOL SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS SURFACE TREATMENT OF GLASS |
| title | PLASMA RESISTANT GLASS PARTS AT CHAMBER INSIDE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-10T06%3A35%3A16IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=KIM%20DAE%20GEAN&rft.date=2024-04-29&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20240055626A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |