Apparatus for processing plasma and method for processing plasama using the same
본 개시의 기술적 사상은 웨이퍼에 대한 플라즈마 공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버 내에 플라즈마 이온들을 생성하도록 구성된 제1 전력 생성기; 및 상기 웨이퍼를 향하여 상기 플라즈마 이온들을 가속시키도록 구성된 제2 전력 생성기;를 포함하고, 상기 제2 전력 생성기는 비정현(non-sinusoidal) 파형의 신호를 생성하며, 상기 제1 전력 생성기가 생성하는 RF 신호와, 상기 제2 전력 생성기가 생성하는 DC 바이어스 신호는 오프셋(offset)된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다....
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | 본 개시의 기술적 사상은 웨이퍼에 대한 플라즈마 공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버 내에 플라즈마 이온들을 생성하도록 구성된 제1 전력 생성기; 및 상기 웨이퍼를 향하여 상기 플라즈마 이온들을 가속시키도록 구성된 제2 전력 생성기;를 포함하고, 상기 제2 전력 생성기는 비정현(non-sinusoidal) 파형의 신호를 생성하며, 상기 제1 전력 생성기가 생성하는 RF 신호와, 상기 제2 전력 생성기가 생성하는 DC 바이어스 신호는 오프셋(offset)된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. |
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