SEMICONDUCTOR MEASUREMENT APPARATUS

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 계측 장치는, 제1 파장 대역의 빛과, 상기 제1 파장 대역과 다른 제2 파장 대역의 빛을 출력하는 조명부, 상기 조명부가 출력하는 빛이 입사되는 검사 대상체가 위치하는 스테이지, 상기 검사 대상체에서 반사 또는 산란되거나 상기 검사 대상체를 투과한 빛을 수신하는 카메라, 및 상기 조명부와 상기 카메라를 제어하며, 상기 카메라가 수신한 빛으로부터 추출한 정보에 기초하여 상기 검사 대상체에 포함되는 복수의 구조체들을 계측하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 상기 카메라의 노출 시간을, 상기 조명부가 상기 제1 파장 대역의 빛을 출력하는 동안 제1 노출 시간으로 설정하고, 상기 조명부가 상기 제2 파장 대역의 빛을 출력하는 동안 상기 제1 노출 시간과 다른 제2 노출 시간으로 설정한다. A semiconductor measurement apparatus includes an illuminator configured to output light having a first wavelength band and light having a second wavelength band, different from the first wavelength band, a stage on which a test object is positioned, a camera configured to receive light reflected or scattered from the test object or transmitted through the test object, and a controller configured to control the illuminator and the camera, and to measure, based on information indicated by the light received by the camera, a plurality of structures included in the test object. The controller is configured to set an exposure time of the camera to a first exposure time while the illuminator outputs the light having the first wavelength band, and to set the exposure time of the camera to a second exposure time, different from the first exposure time, while the illuminator outputs the light having the second wavelength band.