결합 구조체를 위한 보호 반도체 소자
능동 회로부가 있는 반도체 소자를 포함하는 보호 반도체 소자 및 방해층 및/또는 보호 회로층을 포함하는 보호 소자가 있는 결합 구조체. 방해층은 능동 회로부의 적어도 일부로의 외부 액세스를 방지하도록 구성된다. 보호 회로층은 보호 소자 및/또는 반도체 소자의 능동 회로부로의 외부 액세스를 검출 또는 저지하도록 구성된다. 반도체 소자 및 보호 소자는 결합 계면을 따라서 접착제가 없이 직접 결합된다. A bonded structure with protective semiconductor elements including a semico...
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Format: | Patent |
Sprache: | kor |
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Zusammenfassung: | 능동 회로부가 있는 반도체 소자를 포함하는 보호 반도체 소자 및 방해층 및/또는 보호 회로층을 포함하는 보호 소자가 있는 결합 구조체. 방해층은 능동 회로부의 적어도 일부로의 외부 액세스를 방지하도록 구성된다. 보호 회로층은 보호 소자 및/또는 반도체 소자의 능동 회로부로의 외부 액세스를 검출 또는 저지하도록 구성된다. 반도체 소자 및 보호 소자는 결합 계면을 따라서 접착제가 없이 직접 결합된다.
A bonded structure with protective semiconductor elements including a semiconductor element with active circuitry and a protective element including an obstructive layer and/or a protective circuitry layer. The obstructive layer is configured to inhibit external access to at least a portion of the active circuitry. The protective circuitry layer is configured to detect or disrupt external access to the protective element and/or the active circuitry of the semiconductor element. The semiconductor element and the protective element are directly bonded without an adhesive along a bonding interface. |
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