APPARATUS AND METHOD FOR REMOVAL OF OXIDE AND CARBON FROM SEMICONDUCTOR FILMS IN A SINGLE PROCESSING CHAMBER

단일 처리 챔버 내에서 탄소계 및 수소계 오염물을 반도체 기판으로부터 제거하는 시스템과 방법이 개시된다. 본 발명은 단일 처리 챔버 내에서 처리를 수행하기 위하여, 원격 플라즈마 유닛과 복수의 가스 공급원들의 이용을 포함할 수 있다. A system and method for removing both carbon-based contaminants and oxygen-based contaminants from a semiconductor substrate within a single process chamber is disclosed...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GAO PEIPEI, WANG FEI, TOLLE JOHN, HILL ERIC, JOTHEESWARAN BUBESH BABU, LIN XING, RAMANATHAN VISH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	단일 처리 챔버 내에서 탄소계 및 수소계 오염물을 반도체 기판으로부터 제거하는 시스템과 방법이 개시된다. 본 발명은 단일 처리 챔버 내에서 처리를 수행하기 위하여, 원격 플라즈마 유닛과 복수의 가스 공급원들의 이용을 포함할 수 있다. A system and method for removing both carbon-based contaminants and oxygen-based contaminants from a semiconductor substrate within a single process chamber is disclosed. The invention may comprise utilization of remote plasma units and multiple gas sources to perform the process within the single process chamber.