POLISHING HEAD SYSTEM AND POLISHING METHOD

본 발명은, 웨이퍼 등의 기판의 연마 레이트, 특히 에지부에서의 연마 레이트를 정밀하게 제어할 수 있는 연마 헤드 시스템을 제공한다. 연마 헤드 시스템(1)은, 연마 헤드(10)와, 헤드 샤프트(11)와, 헤드 회전 기구(18)와, 멀티 패스 로터리 조인트(25)와, 유체 공급 라인(Lb1)과, 압력 레귤레이터(Rb1)를 구비하고, 연마 헤드(10)는, 기판 압박면(35)과, 리테이너 링(40)과, 리테이너 링(40)의 둘레 방향을 따라 배열된 복수의 압력실(Cb1 내지 Cb6)을 갖고, 헤드 샤프트(11)는, 복수의 압력실(Cb1 내지 Cb6)에 각각 연통하는 복수의 샤프트 유로(56)를 갖고, 멀티 패스 로터리 조인트(25)는, 헤드 샤프트(11)가 1회전할 때마다, 유체 공급 라인(Lb1)을, 복수의 샤프트 유로(56)에 순차 연통시키도록 구성되어 있다. A polishing-head system capable of precisely controlling a polishing rate for a substrate, such as a wafer, and more particularly a polishing rate at an edge portion is disclosed. The polishing-head system includes a polishing head, a head shaft, a head rotating mechanism, a multi-path rotary joint, a fluid supply line, and a pressure regulator, wherein the polishing head has a substrate pressing surface, a retainer ring, and pressure chambers arranged along a circumferential direction of the retainer ring, the head shaft has shaft flow-passages communicating with the pressure chambers, respectively, and the multi-path rotary joint is configured to sequentially provide a communication between the fluid supply line and the shall flow-passages each time the head shaft makes one revolution.