이면 연삭용 점착 시트 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법, 기재 시트

반도체 웨이퍼의 볼록부에 대한 기재층의 추종성을 높일 수 있는, 이면 연삭용 점착 시트를 제공한다. 본 발명에 의하면, 볼록부를 갖는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭용 점착 시트로서, 기재층과, 상기 기재층 상에 마련된 점착제층, 을 구비하고, 상기 점착제층은, 상기 반도체 웨이퍼의 직경보다 작은 직경의 개구부를 갖고, 상기 반도체 웨이퍼의 볼록부가 상기 개구부 내에 배치되도록 상기 반도체 웨이퍼의 외주부에 접착되고, 상기 반도체 웨이퍼는 상기 점착제층에 부착된 상태에서 상기 볼록부가 상기 기재층에 의해 보호되도록 구성되고, 상기 기재층은, 쿠션층과 배리어층을 구비하고, 상기 기재층은, 25℃ RH0%에 있어서의 JIS K7126-2(등압법)에 기초하여 측정한 산소 투과도가 1000ml/(m2·24h·atm) 이하인, 점착 시트가 제공된다. The present invention aims to provide an adhesive sheet for back grinding capable of enhance followability of a base material layer to a convex part of a semiconductor wafer.According to the present invention, provided is an adhesive sheet for back grinding of a semiconductor wafer having a convex part, comprising: a base material layer; and an adhesive layer provided on the base material layer, wherein: the adhesive layer comprises an opening part having a diameter smaller than a diameter of the semiconductor wafer; the adhesive layer is adhered to an outer peripheral part of the semiconductor wafer such shat the convex part of the semiconductor wafer is placed in the opening part; the adhesive layer is configured so that the convex part is protected by the base material layer with the semiconductor wafer adhered to the adhesive layer; the base material layer comprises a cushion layer and a barrier layer; and an oxygen permeability of the base material layer at 25°C and at RH0% measured base on JIS K 7126-2 (isobaric method) is 1000 ml/(m2·24h·atm) or lower.