미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법
실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수...
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description | 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수소의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.05질량% 이상 25질량% 이하이고, 상기 불화암모늄의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.5질량% 이상 40질량% 이하이며, 상기 불화수소의 함유량과 상기 불화암모늄의 함유량은, 이하의 관계식 (1)을 충족하는 것을 특징으로 한다. TIFFpct00009.tif15159
Provided are a micromachining processing agent and a micromachining processing method that enable favorable micromachining while suppressing remaining of fine particles on an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film. The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8X+40(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride. |
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Provided are a micromachining processing agent and a micromachining processing method that enable favorable micromachining while suppressing remaining of fine particles on an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film. The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8X+40(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride.</description><language>kor</language><subject>ADHESIVES ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; DYES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE ; METALLURGY ; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS ; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS ; NATURAL RESINS ; PAINTS ; POLISHES ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240126&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240011661A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25547,76298</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240126&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240011661A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>NISHIDA TETSUO</creatorcontrib><creatorcontrib>NII KEIICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>DATE KAZUYA</creatorcontrib><creatorcontrib>HORIGAMI KENTA</creatorcontrib><creatorcontrib>HASEBE RUI</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAZAKI YOSUKE</creatorcontrib><title>미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법</title><description>실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수소의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.05질량% 이상 25질량% 이하이고, 상기 불화암모늄의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.5질량% 이상 40질량% 이하이며, 상기 불화수소의 함유량과 상기 불화암모늄의 함유량은, 이하의 관계식 (1)을 충족하는 것을 특징으로 한다. TIFFpct00009.tif15159
Provided are a micromachining processing agent and a micromachining processing method that enable favorable micromachining while suppressing remaining of fine particles on an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film. The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8X+40(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride.</description><subject>ADHESIVES</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>DYES</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</subject><subject>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</subject><subject>NATURAL RESINS</subject><subject>PAINTS</subject><subject>POLISHES</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDB_vX7Hm5YdCq82NLzavFXhzaYZr5etebNgjsLrDf0K2OSAEitfb5rKw8CalphTnMoLpbkZlN1cQ5w9dFML8uNTiwsSk1PzUkvivYOMDIxMDAwMDc3MDB2NiVMFANlPPkI</recordid><startdate>20240126</startdate><enddate>20240126</enddate><creator>NISHIDA TETSUO</creator><creator>NII KEIICHI</creator><creator>DATE KAZUYA</creator><creator>HORIGAMI KENTA</creator><creator>HASEBE RUI</creator><creator>YAMAZAKI YOSUKE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240126</creationdate><title>미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법</title><author>NISHIDA TETSUO ; NII KEIICHI ; DATE KAZUYA ; HORIGAMI KENTA ; HASEBE RUI ; YAMAZAKI YOSUKE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240011661A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>ADHESIVES</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>DYES</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</topic><topic>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</topic><topic>NATURAL RESINS</topic><topic>PAINTS</topic><topic>POLISHES</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>NISHIDA TETSUO</creatorcontrib><creatorcontrib>NII KEIICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>DATE KAZUYA</creatorcontrib><creatorcontrib>HORIGAMI KENTA</creatorcontrib><creatorcontrib>HASEBE RUI</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAZAKI YOSUKE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>NISHIDA TETSUO</au><au>NII KEIICHI</au><au>DATE KAZUYA</au><au>HORIGAMI KENTA</au><au>HASEBE RUI</au><au>YAMAZAKI YOSUKE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법</title><date>2024-01-26</date><risdate>2024</risdate><abstract>실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수소의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.05질량% 이상 25질량% 이하이고, 상기 불화암모늄의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.5질량% 이상 40질량% 이하이며, 상기 불화수소의 함유량과 상기 불화암모늄의 함유량은, 이하의 관계식 (1)을 충족하는 것을 특징으로 한다. TIFFpct00009.tif15159
Provided are a micromachining processing agent and a micromachining processing method that enable favorable micromachining while suppressing remaining of fine particles on an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film. The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8X+40(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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