미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법

실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수...

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Hauptverfasser: NISHIDA TETSUO, NII KEIICHI, DATE KAZUYA, HORIGAMI KENTA, HASEBE RUI, YAMAZAKI YOSUKE
Format: Patent
Sprache:kor
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creator NISHIDA TETSUO
NII KEIICHI
DATE KAZUYA
HORIGAMI KENTA
HASEBE RUI
YAMAZAKI YOSUKE
description 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수소의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.05질량% 이상 25질량% 이하이고, 상기 불화암모늄의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.5질량% 이상 40질량% 이하이며, 상기 불화수소의 함유량과 상기 불화암모늄의 함유량은, 이하의 관계식 (1)을 충족하는 것을 특징으로 한다. TIFFpct00009.tif15159 Provided are a micromachining processing agent and a micromachining processing method that enable favorable micromachining while suppressing remaining of fine particles on an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film. The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8⁢X+4⁢0(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride.
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TIFFpct00009.tif15159 Provided are a micromachining processing agent and a micromachining processing method that enable favorable micromachining while suppressing remaining of fine particles on an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film. The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8⁢X+4⁢0(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride.</description><language>kor</language><subject>ADHESIVES ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; DYES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE ; METALLURGY ; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS ; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS ; NATURAL RESINS ; PAINTS ; POLISHES ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240126&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20240011661A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25547,76298</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240126&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20240011661A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>NISHIDA TETSUO</creatorcontrib><creatorcontrib>NII KEIICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>DATE KAZUYA</creatorcontrib><creatorcontrib>HORIGAMI KENTA</creatorcontrib><creatorcontrib>HASEBE RUI</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAZAKI YOSUKE</creatorcontrib><title>미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법</title><description>실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수소의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.05질량% 이상 25질량% 이하이고, 상기 불화암모늄의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.5질량% 이상 40질량% 이하이며, 상기 불화수소의 함유량과 상기 불화암모늄의 함유량은, 이하의 관계식 (1)을 충족하는 것을 특징으로 한다. TIFFpct00009.tif15159 Provided are a micromachining processing agent and a micromachining processing method that enable favorable micromachining while suppressing remaining of fine particles on an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film. The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8⁢X+4⁢0(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride.</description><subject>ADHESIVES</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>DYES</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</subject><subject>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</subject><subject>NATURAL RESINS</subject><subject>PAINTS</subject><subject>POLISHES</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDB_vX7Hm5YdCq82NLzavFXhzaYZr5etebNgjsLrDf0K2OSAEitfb5rKw8CalphTnMoLpbkZlN1cQ5w9dFML8uNTiwsSk1PzUkvivYOMDIxMDAwMDc3MDB2NiVMFANlPPkI</recordid><startdate>20240126</startdate><enddate>20240126</enddate><creator>NISHIDA TETSUO</creator><creator>NII KEIICHI</creator><creator>DATE KAZUYA</creator><creator>HORIGAMI KENTA</creator><creator>HASEBE RUI</creator><creator>YAMAZAKI YOSUKE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240126</creationdate><title>미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법</title><author>NISHIDA TETSUO ; NII KEIICHI ; DATE KAZUYA ; HORIGAMI KENTA ; HASEBE RUI ; YAMAZAKI YOSUKE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240011661A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>ADHESIVES</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>DYES</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</topic><topic>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</topic><topic>NATURAL RESINS</topic><topic>PAINTS</topic><topic>POLISHES</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>NISHIDA TETSUO</creatorcontrib><creatorcontrib>NII KEIICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>DATE KAZUYA</creatorcontrib><creatorcontrib>HORIGAMI KENTA</creatorcontrib><creatorcontrib>HASEBE RUI</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAZAKI YOSUKE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>NISHIDA TETSUO</au><au>NII KEIICHI</au><au>DATE KAZUYA</au><au>HORIGAMI KENTA</au><au>HASEBE RUI</au><au>YAMAZAKI YOSUKE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법</title><date>2024-01-26</date><risdate>2024</risdate><abstract>실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물에 대하여, 미립자의 잔류를 억제하면서 양호한 미세 가공을 가능하게 하는 미세 가공 처리제 및 미세 가공 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 미세 가공 처리제는, 실리콘 함유 절연막을 적어도 갖는 피처리물을 미세 가공하기 위한 미세 가공 처리제이며, 이하의 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 불화수소, 불화암모늄 및 물을 포함하고, TIFFpct00008.tif21155 상기 화합물의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.001질량% 이상 0.5질량% 이하이고, 상기 불화수소의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.05질량% 이상 25질량% 이하이고, 상기 불화암모늄의 함유량은, 상기 미세 가공 처리제의 전체 질량에 대하여 0.5질량% 이상 40질량% 이하이며, 상기 불화수소의 함유량과 상기 불화암모늄의 함유량은, 이하의 관계식 (1)을 충족하는 것을 특징으로 한다. 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The micromachining processing agent according to the present invention is a micromachining processing agent for micromachining an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, the micromachining processing agent containing: a compound represented by a chemical formula (1) below; hydrogen fluoride; ammonium fluoride; and water,wherein Rf represents perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M+ represents a hydrogen ion or an ammonium ion, wherein a content of the compound is 0.001 mass % or more and 0.5 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the hydrogen fluoride is 0.05 mass % or more and 25 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, a content of the ammonium fluoride is 0.5 mass % or more and 40 mass % or less with respect to a total mass of the micromachining processing agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy a relational expression (1) below:Y≦-0.8⁢X+4⁢0(1)wherein X represents a concentration (mass %) of hydrogen fluoride and Y represents a concentration (mass %) of ammonium fluoride.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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