semiconductor device including oxide channel layer and method of fabricating the same
일 실시예에 따르는 반도체 장치는 기판, 상기 기판의 상부에서, 상기 기판의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 서로 이격하여 배치되는 소스 전극층 및 드레인 전극층, 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층 사이에서 상기 기판의 표면에 실질적으로 수직인 상기 방향으로 각각 연장되도록 배치되는 제1 및 제2 산화물 채널층, 상기 제1 및 제2 산화물 채널층과 인접하여 배치되는 강유전층, 및 상기 강유전층 상에 배치되는 게이트 전극층을 포함한다. 상기 제1 및 제2 산화물 채널층은 서로 다른 밴드 갭 에너지를 가진다. A semicon...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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