semiconductor device including oxide channel layer and method of fabricating the same

일 실시예에 따르는 반도체 장치는 기판, 상기 기판의 상부에서, 상기 기판의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 서로 이격하여 배치되는 소스 전극층 및 드레인 전극층, 상기 소스 전극층 및 상기 드레인 전극층 사이에서 상기 기판의 표면에 실질적으로 수직인 상기 방향으로 각각 연장되도록 배치되는 제1 및 제2 산화물 채널층, 상기 제1 및 제2 산화물 채널층과 인접하여 배치되는 강유전층, 및 상기 강유전층 상에 배치되는 게이트 전극층을 포함한다. 상기 제1 및 제2 산화물 채널층은 서로 다른 밴드 갭 에너지를 가진다. A semiconductor device according to an embodiment includes a substrate, a source electrode layer and a drain electrode layer that are disposed over the substrate to be spaced apart from each other in a direction substantially perpendicular to a surface of the substrate, first and second oxide channel layers the extend in the direction substantially perpendicular to the surface of the substrate between the source electrode layer and the drain electrode layer, a ferroelectric layer disposed adjacent to the first and second oxide channel layers, and a gate electrode layer disposed on the ferroelectric layer. The first and second oxide channel layers have different band gap energies from each other.