NITROGEN-RICH SILICON NITRIDE FILMS FOR THIN FILM TRANSISTORS

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 질소 풍부 실리콘 질화물 및 질소 풍부 실리콘 질화물을 증착하기 위한 방법들, 그리고 질소 풍부 실리콘 질화물을 함유하는 트랜지스터들 및 다른 디바이스들에 관한 것이다. 하나 이상의 실시예들에서, 패시베이션 막 스택은 가공물 상에 배치된 실리콘 산화물 층 및 실리콘 산화물 층 상에 배치된 질소 풍부 실리콘 질화물 층을 포함한다. 질소 풍부 실리콘 질화물 층은 약 20at%(atomic percent) 내지 약 35at%의 실리콘 농도, 약 40at% 내지 약 75at%의 질소 농도, 및 약 10at% 내지 약 35at%의 수소 농도를 갖는다. 하나 이상의 예들에서, 패시베이션 막 스택은 실리콘 산화물 층, 질소 풍부 실리콘 질화물 층, 및 임의의 타입의 실리콘 질화물, 이를테면 질소 풍부 실리콘 질화물 및/또는 수소 풍부 실리콘 질화물을 함유하는 제3 층을 포함한다. Embodiments of the present disclosure generally relate to nitrogen-rich silicon nitride and methods for depositing the same, and transistors and other devices containing the same. In one or more embodiments, a passivation film stack is provided and includes a silicon oxide layer disposed on a workpiece, a nitrogen-rich silicon nitride layer disposed on the silicon oxide layer, and a hydrogen-rich silicon nitride layer disposed on the nitrogen-rich silicon nitride layer. The hydrogen-rich silicon nitride layer has a greater hydrogen concentration than the nitrogen-rich silicon nitride layer.