반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

홈을 포함하는 기판 상에 형성되는 막의 스텝 커버리지 성능을 개선할 수 있다. (a) 표면에 요부를 포함하는 기판의 측방으로부터 기판에 대하여 원료 가스를 공급하는 공정; (b) 기판에 대하여 반응 가스를 공급하는 공정; 및 (a)와 (b)를 비동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 기판 상에 막을 형성하는 공정을 포함하고, (a)에서는 원료 가스를 요부 내벽에 충돌시키는 것에 의해 원료 가스를 분해시켜서 중간체를 발생시키고, 중간체를 요부 내벽에 부착시키고, (b)에서는 요부 내에 부착시킨 중간체와 반응 가스를 반응시킨다. According to the present disclosure, the step coverage performance of the film can be improved on the substrate. According to one embodiment of the present disclosure, there is provided a technique that includes: forming a film on a substrate provided with a concave structure on a surface thereof by performing a cycle a predetermined number of times, wherein the cycle includes: (a) supplying a source gas to the substrate from a side of the substrate; and (b) supplying a reactive gas to the substrate, and wherein, in (a), by colliding the source gas with an inner wall of the concave structure, the source gas is decomposed to generate an intermediate substance and the intermediate substance adheres to the inner wall of the concave structure, and wherein, in (b), the intermediate substance adhered to the inner wall of the concave structure reacts with the reactive gas.