DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device. According to one embodiment of the present invention, a method for manufacturing a display device comprises the steps of: forming a plurality of semiconductor elements on a first substrate; forming an epitaxial layer on a second substrate; bonding the first substrate and the second substrate so that the plurality of semiconductor elements of the first substrate and the epitaxial layer of the second substrate face each other; separating the second substrate from the epitaxial layer; etching the epitaxial layer to form a plurality of second semiconductor layers, a plurality of light-emitting layers below the plurality of second semiconductor layers, and a plurality of first semiconductor layers below the plurality of light-emitting layers; forming a plurality of reflectors on a region in which the epitaxial layer is etched; and forming a common electrode to cover the plurality of second semiconductor layers and the plurality of reflectors. The plurality of second semiconductor layers, the plurality of light-emitting layers, the plurality of first semiconductor layers, and the common electrode form a plurality of LEDs, respectively. Therefore, in a state in which the epitaxial layer is bonded onto the plurality of semiconductor elements, the plurality of LEDs are formed directly thereon, thereby omitting a conventional transfer process and facilitating alignment between the LEDs and the plurality of semiconductor elements. 본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제1 기판 상에 복수의 반도체 소자를 형성하는 단계, 제2 기판 상에 에피층을 형성하는 단계, 제1 기판의 복수의 반도체 소자와 제2 기판의 에피층이 대향하도록 제1 기판과 제2 기판을 본딩하는 단계, 제2 기판을 에피층으로부터 박리하는 단계, 에피층을 식각하여 복수의 제2 반도체층, 복수의 제2 반도체층 하부의 복수의 발광층 및 복수의 발광층 하부의 복수의 제1 반도체층을 형성하는 단계, 에피층이 식각된 영역에 복수의 반사체를 형성하는 단계 및 복수의 제2 반도체층 및 복수의 반사체를 덮도록 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 복수의 제2 반도체층, 복수의 발광층, 복수의 제1 반도체층 및 공통 전극 각각은 복수의 LED를 이룬다. 따라서, 복수의 반도체 소자 상에 에피층을 본딩한 상태에서, 복수의 LED를 직접 형성하므로 종래의 전사 공정을 생략할 수 있고, 복수의 LED와 복수의 반도체 소자 간의 정렬을 용이하게 할 수 있다.