확산 장벽 형성을 위한 방법 및 습식 화학 조성물

습식 프로세스에 의해 유전체 또는 반도체 기판 상에 확산 장벽 층을 형성하는 방법. 본 방법은 확산 장벽 층을 상부에 침착하기 위해 기판을 준비할 수 있는 하나 이상의 흡착 촉진 성분을 포함하는 수성 전처리 용액으로 유전체 또는 반도체 기판을 처리하는 단계; 및 처리된 유전체 또는 반도체 기판을 망간 화합물 및 무기 pH 완충제(선택적으로, 하나 이상의 도핑 금속을 가짐)를 포함하는 침착 용액과 접촉시켜 그 상부에 확산 장벽 층을 형성하는 단계를 포함하며, 확산 장벽 층은 산화망간을 포함한다. 또한 확산 장벽 층을 상부에 형성하기 위해 유전체 또는 반도체 기판을 처리하기 위한 2-파트 키트가 포함된다. A method of forming a diffusion barrier layer on a dielectric or semiconductor substrate by a wet process. The method includes the steps of treating the dielectric or semiconductor substrate with an aqueous pretreatment solution comprising one or more adsorption promoting ingredients capable of preparing the substrate for deposition of the diffusion barrier layer thereon; and contacting the treated dielectric or semiconductor substrate with a deposition solution comprising manganese compounds and an inorganic pH buffer (optionally, with one or more doping metals) to the diffusion barrier layer thereon, wherein the diffusion barrier layer comprises manganese oxide. Also included is a two-part kit for treating a dielectric or semiconductor substrate to form a diffusion barrier layer thereon.