SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM

The present invention aims to make a processing chamber a high-vacuum status within a short period of time without spreading particles. According to an embodiment of the present invention, provided is a substrate processing device which comprises: a processing chamber for processing a substrate; a pressure sensor detecting the pressure of the processing chamber, ranging from the pressure of a region near the atmospheric pressure and the pressure of a certain vacuum region; a first exhaust line including a first pipe discharging gas from the processing chamber, and a first opening degree control valve; a second exhaust line including a second pipe accessed to the first exhaust line, and a second opening degree control valve; and a control unit configured to control the opening degree of the first opening degree control valve or the opening degree of the second opening degree control valve, and make the pressure of the processing chamber as a processing pressure. The control unit controls the opening degree of the second opening degree control valve and makes the pressure of the processing chamber as the processing pressure when the processing pressure is higher than the pressure of the certain vacuum region, and controls the opening degree of the first opening degree control valve and makes the pressure of the processing chamber as the processing pressure when the processing pressure is lower than the pressure of the certain vacuum region. 처리실의 파티클을 확산시키지 않고 짧은 시간에 처리실을 고진공 상태로 하는 것을 목적으로 한다. 본 개시의 일 형태에 따르면, 기판을 처리하는 처리실; 대기압에 가까운 영역의 압력으로부터 소정의 진공 영역의 압력까지 상기 처리실의 압력을 검출하는 압력 센서; 상기 처리실로부터 가스를 배출하는 제1 배관과, 제1 개도(開度) 조정 밸브를 포함하는 제1 배기 라인; 상기 제1 배기 라인에 접속된 제2 배관과, 제2 개도 조정 밸브를 포함하는 제2 배기 라인; 및 상기 제1 개도 조정 밸브의 개도 또는 상기 제2 개도 조정 밸브의 개도를 조정하여 상기 처리실을 처리 압력으로 하는 것이 가능하도록 구성되는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 처리 압력이 상기 소정의 진공 영역의 압력보다 높은 경우, 상기 제2 개도 조정 밸브의 개도를 조정하여 상기 처리실의 압력을 상기 처리 압력으로 하고, 상기 처리 압력이 상기 소정의 진공 영역의 압력보다 낮은 경우, 상기 제1 개도 조정 밸브의 개도를 조정하여 상기 처리실의 압력을 상기 처리 압력으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.