ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

A semiconductor device comprises a device wafer having a first side and a second side. The first and second sides are opposite to each other. The semiconductor device comprises a plurality of first interconnect structures disposed on the first side of the device wafer. The semiconductor device comprises a plurality of second interconnect structures disposed on the second side of the device wafer. The plurality of second interconnect structures comprise a first power rail and a second power rail. The semiconductor device comprises a carrier wafer disposed on the plurality of first interconnect structures. The semiconductor device comprises an electrostatic discharge (ESD) protection circuit formed on a side of the carrier wafer. The ESD protection circuit is operatively coupled to the first and second power rails. 반도체 디바이스는, 제1 면 및 제2 면을 갖는 디바이스 웨이퍼를 포함한다. 상기 제1 면과 상기 제2 면은 서로 반대편이다. 상기 반도체 디바이스는, 상기 디바이스 웨이퍼의 제1 면 상에 배치된 복수의 제1 상호접속 구조물들을 포함한다. 상기 반도체 디바이스는, 상기 디바이스 웨이퍼의 제2 면 상에 배치된 복수의 제2 상호접속 구조물들을 포함한다. 상기 복수의 제2 상호접속 구조물들은 제1 파워 레일 및 제2 파워 레일을 포함한다. 상기 반도체 디바이스는, 상기 복수의 제1 상호접속 구조물들 위에 배치된 캐리어 웨이퍼를 포함한다. 상기 반도체 디바이스는, 상기 캐리어 웨이퍼의 면 위에 형성된 정전 방전(ESD) 보호 회로를 포함한다. 상기 ESD 보호 회로는 상기 제1 파워 레일 및 상기 제2 파워 레일에 동작가능하게 커플링된다.