금속 에칭

금속 함유 재료를 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 금속 함유 재료는 금속 함유 재료의 적어도 일부를 금속 할라이드 재료로 변환하도록 할로겐 함유 유체 또는 플라즈마에 노출된다. 금속 할라이드 재료는 리간드 함유 유체 또는 플라즈마에 노출되고, 여기서 금속 할라이드 재료의 적어도 일부는 금속 할라이드 리간드 착체 (ligand complex) 로 형성된다. 금속 할라이드 리간드 착체의 적어도 일부는 기화된다. A method for etching a metal containing material is provided. The meta...

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Hauptverfasser:	WEIDMAN TIMOTHY WILLIAM, FAN YIWEN, TAN SAMANTHA SIAMHWA, MUKHERJEE TAMAL, YANG WENBING, LIN RAN
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ELECTRICITY
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creator	WEIDMAN TIMOTHY WILLIAM FAN YIWEN TAN SAMANTHA SIAMHWA MUKHERJEE TAMAL YANG WENBING LIN RAN
description	금속 함유 재료를 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 금속 함유 재료는 금속 함유 재료의 적어도 일부를 금속 할라이드 재료로 변환하도록 할로겐 함유 유체 또는 플라즈마에 노출된다. 금속 할라이드 재료는 리간드 함유 유체 또는 플라즈마에 노출되고, 여기서 금속 할라이드 재료의 적어도 일부는 금속 할라이드 리간드 착체 (ligand complex) 로 형성된다. 금속 할라이드 리간드 착체의 적어도 일부는 기화된다. A method for etching a metal containing material is provided. The metal containing material is exposed to a halogen containing fluid or plasma to convert at least some of the metal containing material into a metal halide material. The metal halide material is exposed to a ligand containing fluid or plasma, wherein at least some of the metal halide material is formed into a metal halide ligand complex. At least some of the metal halide ligand complex is vaporized.
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A method for etching a metal containing material is provided. The metal containing material is exposed to a halogen containing fluid or plasma to convert at least some of the metal containing material into a metal halide material. The metal halide material is exposed to a ligand containing fluid or plasma, wherein at least some of the metal halide material is formed into a metal halide ligand complex. 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A method for etching a metal containing material is provided. The metal containing material is exposed to a halogen containing fluid or plasma to convert at least some of the metal containing material into a metal halide material. The metal halide material is exposed to a ligand containing fluid or plasma, wherein at least some of the metal halide material is formed into a metal halide ligand complex. 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