SEMICONDUCTOR PACKAGE

According to an embodiment of the present invention, provided is a semiconductor package comprising: a first wiring structure; a first semiconductor chip on the first wiring structure; a suture covering the first semiconductor chip; a second wiring structure which is disposed on the first semiconductor chip and the suture, includes a plurality of wiring layers, and has an opening portion provided with a step to expose a portion of the top surface of at least one wiring layer of the plurality of wiring layers; and a heat-dissipation pattern which is disposed within the opening portion of the second wiring structure, penetrates the suture to contact at least a portion of the top surface of the first semiconductor chip, and includes a material having a higher heat-conductivity than silicon (Si). The heat-dissipation pattern includes a lower portion having a first width and an upper portion disposed on the lower portion and having a second width greater than the first width, wherein the upper portion of the heat-dissipation pattern contacts a portion of the exposed top surface of the wiring layer. The semiconductor package of the present invention can provide a semiconductor package with improved heat-dissipation properties. 본 발명의 일 실시예는, 제1 배선 구조물; 상기 제1 배선 구조물 상의 제1 반도체 칩; 상기 제1 반도체 칩을 덮는 봉합재; 상기 제1 반도체 칩 및 상기 봉합재 상에 배치되고, 복수의 배선 층들을 포함하고, 상기 복수의 배선 층들 중 적어도 하나의 배선 층의 상면의 일부를 노출시키는 단차가 구비된 개구부를 갖는 제2 배선 구조물; 및 상기 제2 배선 구조물의 상기 개구부 내에 배치되며, 상기 봉합재를 관통하여 상기 제1 반도체 칩의 상면의 적어도 일부와 접촉하고, 실리콘(Si)보다 열 전도도가 높은 물질을 포함하는 열 분산 패턴을 포함하고, 상기 열 분산 패턴은 제1 폭을 갖는 하부 부분 및 상기 하부 부분 상에 배치되고 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 상부 부분을 포함하고, 상기 열 분산 패턴의 상기 상부 부분은 상기 배선 층의 노출된 상기 상면의 일부와 접촉하는 반도체 패키지를 제공한다.