Apparatus and method for processing substrate using plasma

Provided is a substrate processing apparatus using plasma, capable of efficiently controlling the selectivity ratio of a silicon layer and an oxide layer. The substrate processing apparatus comprises: a first space disposed between an electrode and an ion blocker; a second space disposed between the ion blocker and a shower head; a processing space under the shower head for processing a substrate; a first supply hole for providing a first gas for generating plasma to the first space; a second supply hole for providing a second gas to be mixed with an effluent of the plasma to the second space; and a first coating layer formed on a first surface of the shower head facing the second space, not formed on a second surface of the shower head facing the processing space, and containing nickel. 실리콘층과 산화층의 선택비를 효율적으로 제어할 수 있는, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 전극과 이온 블록커 사이에 배치된 제1 공간; 상기 이온 블록커와 샤워 헤드 사이에 배치된 제2 공간; 상기 샤워 헤드의 아래에, 기판을 처리하기 위한 처리 공간; 플라즈마를 생성하기 위한 제1 가스를 상기 제1 공간에 제공하기 위한 제1 공급홀; 상기 플라즈마의 유출물과 혼합되는 제2 가스를 상기 제2 공간에 제공하기 위한 제2 공급홀; 및 상기 제2 공간을 향하는 상기 샤워 헤드의 제1면에는 형성되고, 상기 처리 공간을 향하는 상기 샤워 헤드의 제2면에는 형성되지 않고, 니켈을 포함하는 제1 코팅층을 포함한다.