STORAGE DEVICE USING WAFER-TO-WAFER BONDING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

The present invention relates to a storage device using wafer-to-wafer bonding to secure a space for placing peripheral circuits, and a manufacturing method thereof. According to one aspect of the technical idea of the present invention, the storage device comprises a non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes: a first substrate on which a first peripheral circuit region is formed including a row decoder selecting one of a plurality of word lines of a three-dimensional memory cell array; and a second substrate including a second peripheral circuit region including a page buffer unit selecting at least one of the plurality of bit lines of the three-dimensional memory cell array and a cell region including a three-dimensional memory cell array formed on the second peripheral circuit region. The memory cell array is formed by stacking and bonding a second substrate perpendicularly to the first substrate, thereby being disposed between the first peripheral circuit region and the second peripheral circuit region. 본 개시의 기술적 사상의 일측면에 따른 비휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치에서, 비휘발성 메모리 장치는 3차원 메모리 셀 어레이의 복수의 워드라인들 중 하나를 선택하는 로우 디코더를 포함하는 제1 주변 회로 영역이 형성된 제1 기판 및 3차원 메모리 셀 어레이의 복수의 비트라인들 중 적어도 하나를 선택하는 페이지 버퍼부를 포함하는 제2 주변 회로 영역, 및 제2 주변 회로 영역 상에 형성된 3차원 메모리 셀 어레이를 포함하는 셀 영역을 포함하는 제2 기판을 포함하고, 메모리 셀 어레이는, 제2 기판이 제1 기판에 수직으로 스택되어 본딩됨으로써, 제1 주변 회로 영역 및 제2 주변 회로 영역의 사이에 배치된다., 제1 주변 회로 영역 및 제2 주변 회로 영역의 사이에 배치된다.