Memory device

Provided is a memory device. The memory device comprises: a substrate; a three-dimensional NAND memory cell array on the substrate; and peripheral circuitry including transistors on the substrate, wherein the substrate contains p-type impurities and n-type impurities, the concentration of n-type impurities in the substrate is less than the concentration of p-type impurities in the substrate, the concentration of n-type impurities in the substrate is 2x10^14 atoms/cm^3 to 1.5x10^15 atoms/cm^3, and the concentration of p-type impurities in the substrate may be 9x10^14 atoms/cm^3 to 2x10^15 atoms/cm^3. Accordingly, the present invention can provide a memory device with small dispersion of electrical characteristics. 메모리 소자가 제공된다. 이 메모리 소자는 기판, 상기 기판 상의 3차원 NAND 메모리 셀 어레이, 및 상기 기판 상의 트랜지스터를 포함하는 주변 회로를 포함하고, 상기 기판은 p 타입 불순물 및 n 타입 불순물을 포함하고, 상기 기판 내의 n 타입 불순물의 농도는 상기 기판 내의 p 타입 불순물의 농도보다 작고, 상기 기판 내의 n 타입 불순물의 농도는 2x1014 원자/cm3 내지 1.5x1015 원자/cm3이고, 상기 기판 내의 p 타입 불순물의 농도는 9x1014 원자/cm3 내지 2x1015 원자/cm3일 수 있다.