Micro light emitting device and display apparatus including the same

A disclosed micro light emitting device may include: a first semiconductor layer doped with a first conductivity type; a light emitting layer disposed on the upper surface of the first semiconductor layer; a second semiconductor layer disposed on the upper surface of the light emitting layer and doped with a second conductivity type that is electrically opposite to the first conductivity type; an insulating layer disposed on the upper surface of the second semiconductor layer; a first electrode disposed on the upper surface of the insulating layer and electrically connected to the first semiconductor layer; a second electrode disposed on the upper surface of the insulating layer and electrically connected to the second semiconductor layer; and an aluminum nitride layer disposed on the lower surface of the first semiconductor layer and having a flat surface. Therefore, it is possible to provide a micro light emitting device having a structure suitable for alignment by fluidic self assembly. 개시된 마이크로 발광 소자는, 제1 도전형으로 도핑된 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층의 상부 표면에 배치된 발광층; 상기 발광층의 상부 표면에 배치되며 상기 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층의 상부 표면에 배치된 절연층; 상기 절연층의 상부 표면에 배치되며 상기 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 절연층의 상부 표면에 배치되며 상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 제1 반도체층의 하부 표면에 배치되며 평탄한 표면을 갖는 질화알루미늄층을 포함할 수 있다.