다이아몬드 방열판을 갖는 헤테로에피택셜 구조

헤테로에피택셜 구조는 실리콘-온-인슐레이터(silicon-on-insulator) 구조를 갖는 기판을 포함한다. (111) 표면 배향을 갖는 단결정 실리콘 층의 한 표면에 다결정 다이아몬드의 층이 도포된다. 유전체층 및 또 다른 단결정 실리콘 층이 먼저 제거된 실리콘-온-인슐레이터 구조의 (111) 표면 배향을 갖는 상기 단결정 실리콘 층의 다른 표면에 와이드-밴드갭 III-질화물에 기반한 반도체 장치의 에피택셜 구조가 형성된다. A heteroexpitaxial structure comprises a substrate having a silicon-on-insulator structure. Applied to one surface of a layer of single-crystal silicon having a surface orientation is a layer of polycrystalline diamond. Formed on the other surface of said layer of surface orientation single-crystal silicon of the silicon-on-insulator structure from which layers of a dielectric and another single-crystal silicon layer are first removed is an epitaxial structure of a semiconductor device based on wide-bandgap III-nitrides.