REMOTE PLASMA OXIDATION CHAMBER

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 고 종횡비 구조들의 등각 산화를 위한 프로세스 챔버에 관한 것이다. 프로세스 챔버는, 챔버 몸체의 제1 측에 위치된 라이너 조립체 및, 제1 측의 반대쪽인, 챔버 몸체의 제2 측에 인접한 기판 지지 부분에 위치된 2개의 펌핑 포트들을 포함한다. 라이너 조립체는, 유체 유동을, 프로세스 챔버의 처리 영역에 배치된 기판의 중앙으로부터 멀리 지향시키기 위한 유동 분할기를 포함한다. 라이너 조립체는 프로세스 가스들, 예컨대, 라디칼들과의 상호작용을 최소화하는 석영으로 제조될 수 있다. 라이너 조립체는 라디칼들의 유동 협착을 감소시키도록 설계되어, 증가된 라디칼 농도 및 선속으로 이어진다. 2개의 펌핑 포트들은, 프로세스 챔버의 처리 영역을 통하는 라디칼들의 유동을 조정하기 위해 개별적으로 제어될 수 있다. Embodiments of the present disclosure generally relate to a process chamber for conformal oxidation of high aspect ratio structures. The process chamber includes a liner assembly located in a first side of a chamber body and two pumping ports located in a substrate support portion adjacent a second side of the chamber body opposite the first side. The liner assembly includes a flow divider to direct fluid flow away from a center of a substrate disposed in a processing region of the process chamber. The liner assembly may be fabricated from quartz minimize interaction with process gases, such as radicals. The liner assembly is designed to reduce flow constriction of the radicals, leading to increased radical concentration and flux. The two pumping ports can be individually controlled to tune the flow of the radicals through the processing region of the process chamber.