Voltage Contrast Measuring Mark
측정 마크가 개시된다. 어떤 실시예들에 따르면, 측정 마크는 기판 상의 제1 층에서 현상된 제1 테스트 구조체들의 세트를 포함하고, 제1 테스트 구조체들의 세트의 각각은 제1 전도 재료로 이루어진 복수의 제1 특징부들을 포함한다. 측정 마크는 또한, 제1 층에 인접한 제2 층에서 현상된 제2 테스트 구조체들의 세트를 포함하고, 제2 테스트 구조체들의 세트의 각각은 제2 전도 재료로 이루어진 복수의 제2 특징부들을 포함한다. 측정 마크는 전압-콘트라스트 이미징 방법에 의해 이미징될 때, 제1 테스트 구조체들의 세트와 제2 테스트 구조...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 측정 마크가 개시된다. 어떤 실시예들에 따르면, 측정 마크는 기판 상의 제1 층에서 현상된 제1 테스트 구조체들의 세트를 포함하고, 제1 테스트 구조체들의 세트의 각각은 제1 전도 재료로 이루어진 복수의 제1 특징부들을 포함한다. 측정 마크는 또한, 제1 층에 인접한 제2 층에서 현상된 제2 테스트 구조체들의 세트를 포함하고, 제2 테스트 구조체들의 세트의 각각은 제2 전도 재료로 이루어진 복수의 제2 특징부들을 포함한다. 측정 마크는 전압-콘트라스트 이미징 방법에 의해 이미징될 때, 제1 테스트 구조체들의 세트와 제2 테스트 구조체들의 세트에서의 연관된 제2 테스트 구조체들 사이의 연결성을 표시하도록 구성된다.
A measurement mark is disclosed. According to certain embodiments, the measurement mark includes a set of first test structures developed in a first layer on a substrate, each of the set of first test structures comprising a plurality of first features made of first conducting material. The measurement mark also includes a set of second test structures developed in a second layer adjacent to the first layer, each of the set of second test structures comprising a plurality of second features made of second conducting material. The measurement mark is configured to indicate connectivity between the set of first test structures and associated second test structures in the set of second test structures when imaged using a voltage-contrast imaging method. |
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