알루미늄 함유층을 내부에 포함하는 발광 다이오드 및 이와 관련한 방법
발광 다이오드(LED) 구조체는 활성화될 때 LED 구조체로부터 광을 방출하는 적어도 하나의 알루미늄 함유 양자우물(QW) 스택을 구비하는 액티브 영역을 포함한다. LED 구조체는 수정된 내부 양자 효율 값을 나타내는데, 이 값은 QW 스택 내에 알루미늄을 포함하지 않는 LED 구조체보다 높습니다. LED 구조체는 또한 수정된 피크 파장을 나타내는데, 이 피크 파장은 수정되지 않은 LED 구조체의 수정되지 않은 피크 파장보다 길다. A light-emitting diode (LED) structure includes an activ...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 발광 다이오드(LED) 구조체는 활성화될 때 LED 구조체로부터 광을 방출하는 적어도 하나의 알루미늄 함유 양자우물(QW) 스택을 구비하는 액티브 영역을 포함한다. LED 구조체는 수정된 내부 양자 효율 값을 나타내는데, 이 값은 QW 스택 내에 알루미늄을 포함하지 않는 LED 구조체보다 높습니다. LED 구조체는 또한 수정된 피크 파장을 나타내는데, 이 피크 파장은 수정되지 않은 LED 구조체의 수정되지 않은 피크 파장보다 길다.
A light-emitting diode (LED) structure includes an active region that has at least one aluminum-containing quantum well (QW) stack that emits light from the LED structure when activated. The LED structure exhibits a modified internal quantum efficiency value, which is higher than a LED structure that does not include aluminum within a QW stack. The LED structure also exhibits a modified peak wavelength, which is longer than an unmodified peak wavelength of the unmodified LED structure. |
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