웨이퍼 가공용 시트 및 웨이퍼의 가공 방법
웨이퍼 주면에 접촉하는 기재 시트를 구비하고, 상기 기재 시트의, 30℃ 내지 80℃에 있어서의 저장 탄성률 E'30-80의 지수 근사 곡선의 지수 계수가 -0.035 내지 -0.070인, 웨이퍼 가공용 시트. A sheet for processing a wafer, including a substrate sheet that comes into contact with a main surface of the wafer, wherein the substrate sheet has an exponential coefficient...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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| Zusammenfassung: | 웨이퍼 주면에 접촉하는 기재 시트를 구비하고, 상기 기재 시트의, 30℃ 내지 80℃에 있어서의 저장 탄성률 E'30-80의 지수 근사 곡선의 지수 계수가 -0.035 내지 -0.070인, 웨이퍼 가공용 시트.
A sheet for processing a wafer, including a substrate sheet that comes into contact with a main surface of the wafer, wherein the substrate sheet has an exponential coefficient in an exponential trendline for storage modulus E′30-80 at 30° C. to 80° C. of −0.035 to −0.070. |
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