선택적 금속 화합물 제거를 위한 시스템들 및 방법들

예시적인 식각 방법들은, 플루오린 함유 전구체 및 수소 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 원격 플라즈마 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 수소 함유 전구체는, 플루오린 함유 전구체의 유량에 대해 적어도 2:1의 유량으로 유동될 수 있다. 방법들은, 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 플루오린 함유 전구체 및 수소 함유 전구체의 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은, 기판을 수납하는 기판 처리 영역 내로 플라즈마 유출물들을 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 탄탈럼 또는 티타늄 물질의 노출된 영역 및 규소 함유 물질 또는 금속의 노출된 영역을 포함할 수 있다. 방법들은 기판을 플라즈마 유출물들과 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 탄탈럼 또는 티타늄 물질을 규소 함유 물질 또는 금속에 대해 선택적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다. Exemplary etching methods may include flowing a fluorine-containing precursor and a hydrogen-containing precursor into a remote plasma region of a semiconductor processing chamber. The hydrogen-containing precursor may be flowed at a flow rate of at least 2:1 relative to the flow rate of the fluorine-containing precursor. The methods may include forming a plasma of the fluorine-containing precursor and the hydrogen-containing precursor to produce plasma effluents. The methods may include flowing the plasma effluents into a substrate processing region housing a substrate. The substrate may include an exposed region of a tantalum or titanium material and an exposed region of a silicon-containing material or a metal. The methods may include contacting the substrate with the plasma effluents. The methods may include removing the tantalum or titanium material selectively to the silicon-containing material or the metal.