후강판 및 그의 제조 방법

성분 조성이, C: 0.02∼0.10질량%, Si: 0.10∼0.60질량%, Mn: 1.00∼2.00질량%, P: 0질량% 초과 0.035질량% 이하, S: 0질량% 초과 0.035질량% 이하, Cu: 0.10∼0.60질량%, Al: 0.010∼0.060질량%, Nb: 0질량% 초과 0.050질량% 이하, Ti: 0질량% 초과 0.050질량% 이하, N: 0.0010∼0.0100질량%, 및 잔부: 철 및 불가피 불순물로 이루어지고, 또한 Si 및 Cu의 합계 함유량이 0.30질량% 이상이며, 금속 조직이, MA 분율이 0.5면적%...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: TONAN TOMOYUKI, KAWANO HARUYA, SANDAIJI YUSUKE, KINEFUCHI MASAO
Format: Patent
Sprache:kor
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