Processing method for substrate

The present invention relates to a substrate processing method and, more specifically, to a substrate processing method capable of preventing the deterioration of properties of a thin film due to the temperature control inside a chamber during substrate processing. The disclosed substrate processing method of the present invention includes: a pressurizing step of raising a process pressure from a first pressure (P_1) to a second pressure (P_2) that is greater than the atmospheric pressure; a depressurizing step of lowering the process pressure from a sixth pressure (P_6), which is greater than the atmospheric pressure, to a seventh pressure (P_7); and an annealing step of changing the process pressure into a preset pressure change pattern between the pressurizing step and the depressurizing step, under a temperature atmosphere of a second temperature (T_2) higher than the room temperature. A temperature raising step of raising a temperature atmosphere from a first temperature (T_1) to the second temperature (T_2) is performed from a preset temperature raising start point (t_1) to a preset temperature raising end point (t_2) while the pressurizing step is performed or after the pressurizing step is performed. 본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리 시, 챔버 내부의 온도조절에 따른 박막 특성의 저하를 방지할 수 있는 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명은, 공정압을 제1압력(P1)에서 대기압보다 큰 제2압력(P2)으로 상승시키는 가압단계와; 공정압을 대기압보다 큰 제6압력(P6)에서 제7압력(P7)으로 하강시키는 감압단계와; 상온보다 높은 제2온도(T2)의 온도분위기하에서 공정압을 상기 가압단계 및 상기 감압단계 사이에서 미리 설정된 압력변화패턴으로 변화시키는 어닐링단계를 포함하며, 상기 가압단계의 수행 중 또는 상기 가압단계 수행 후 미리 설정된 승온시점(t1)부터 미리 설정된 승온종점(t2)까지 온도분위기를 제1온도(T1)로부터 상기 제2온도(T2)로 승온시키는 승온단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법을 개시한다.