Transistor protective film using polyimide-siloxane capable of crosslinking and manufacturing method thereof

The present invention relates to a transistor protective film using poly(imide-siloxane) capable of crosslinking reaction and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a manufacturing method of a transistor protective film and a transistor protective film manufactured thereby, wherein the manufacturing method comprises the steps of: making diamine including siloxane react with dianhydride to prepare poly(imide-siloxane); mixing the same with an alkenyl isocyanate compound to prepare alkenyl terminal poly(imide-siloxane) capable of crosslinking reaction; mixing the same with a cross-linking agent and a catalyst to subject the mixture to hydrosilylation. The transistor protective film manufactured according to the present invention has excellent properties such as heat resistance, heat conductivity, light transmittance and the like. 본 발명은 가교반응이 가능한 폴리(이미드-실록산)을 이용한 트랜지스터 보호막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실록산을 포함하는 다이아민 및 다이안하이드라이드를 반응시켜 폴리(이미드-실록산)을 제조하고, 이를 알케닐아이소시아네이트 화합물과 혼합하여 가교반응이 가능한 알케닐 말단 폴리(이미드-실록산)을 제조하며, 이를 가교제 및 촉매와 혼합하여 하이드로실릴화 반응을 거쳐 트랜지스터 보호막을 제조하는 방법, 이를 통해 제조된 트랜지스터 보호막에 관한 것이다. 본 발명을 통해 제조된 트랜지스터 보호막은 내열성, 열전도도, 광투과성 등의 전반적인 특징이 우수하다.