선택적 커맨드 지연을 갖는 반도체 디바이스 및 연관된 방법 및 시스템

메모리 디바이스, 메모리 디바이스를 포함하는 시스템, 및 메모리 디바이스를 작동하는 방법이 설명되며, 여기서 메모리 디바이스는 커맨드에 가변 지연을 추가하도록 구성된다. 가변 지연은 메모리 디바이스의 테스트 모드를 사용하여 호스트 디바이스(예를 들어, 테스트 장비)에 의해 제공될 수 있다. 대안적으로, 가변 지연은 메모리 디바이스의 비휘발성 메모리(NVM) 컴포넌트들에 저장될 수 있다. 또한, 메모리 디바이스의 모드 레지스터들은 커맨드가 NVM 컴포넌트들에 저장된 가변 지연과 연관됨을 나타내도록 설정될 수 있다. 또한, 메모리 디바이스는 가변 지연을 커맨드에 추가하도록 구성된 지연 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이러한 가변 지연은 메모리 디바이스에 연결된 전원 공급 장치에서 끌어온 순간적인 많은 양의 전류와 관련된 문제를 방지(또는 완화)하기 위해 여러 메모리 디바이스들에 걸쳐 커맨드의 엇갈린 실행을 용이하게 한다. Memory devices, systems including memory devices, and methods of operating memory devices are described, in which memory device are configured to add variable delays to a command. The variable delays may be provided by a host device (e.g., a test equipment) using a test mode of the memory devices. Alternatively, the variable delays may be stored in nonvolatile memory (NVM) components of the memory devices. Further, mode registers of the memory devices may be set to indicate that the command is associated with the variable delays stored in the NVM components. Further, the memory devices may include delay components configured to add the variable delays to the command. Such variable delays facilitate staggered execution of the command across multiple memory devices so as to avoid (or mitigate) issues related to an instantaneous, large amount of current drawn from a power supply connected to the memory devices.