CVD 반응기를 위한 가스 유입 디바이스
본 발명은 서로 위에 배열된 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)을 갖는 가스 분배 디바이스에 관한 것이며, 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)은 가스 배출 구역들(Z1 내지 Z12)의, 몇 개의 레벨들로 서로 위에 배열된 가스 분배 용적부들(17) 내로 프로세스 가스를 공급할 수 있는 하나 이상의 공급 도관들(18)을 온으로 하거나 오프로 하거나 전환함으로써 조정될 수 있으며, 각각의 가스 유입 영역(E1 내지 E5)을 통해 각 경우에 하나의 균일한 프로세스 가스만이 프로세스 챔버(7) 내로 빠져나갈 수 있다. A g...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | EICKELKAMP MARTIN |
| description | 본 발명은 서로 위에 배열된 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)을 갖는 가스 분배 디바이스에 관한 것이며, 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)은 가스 배출 구역들(Z1 내지 Z12)의, 몇 개의 레벨들로 서로 위에 배열된 가스 분배 용적부들(17) 내로 프로세스 가스를 공급할 수 있는 하나 이상의 공급 도관들(18)을 온으로 하거나 오프로 하거나 전환함으로써 조정될 수 있으며, 각각의 가스 유입 영역(E1 내지 E5)을 통해 각 경우에 하나의 균일한 프로세스 가스만이 프로세스 챔버(7) 내로 빠져나갈 수 있다.
A gas distribution device has a plurality of gas inlet regions that are arranged above each other and can be adjusted by switching on or off respective valves. The gas inlet regions can also be adjusted by switching over one or more feed conduits through which process gases can be fed into respective gas distribution volumes of gas outlet zones. The respective gas distribution volumes are arranged above each other at several levels. Only one uniform process gas can exit into a process chamber through each of the gas inlet regions. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20220109426A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20220109426A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20220109426A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDByDnNReL1hxpu5E1_t2PB66R6FN3Na3k6do_BqQ8ObriVA3oI381oVXk-Z8nrDlDdztwDFeBhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvHeQkYGRkYGhgaWJkZmjMXGqACfCOYM</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>CVD 반응기를 위한 가스 유입 디바이스</title><source>esp@cenet</source><creator>EICKELKAMP MARTIN</creator><creatorcontrib>EICKELKAMP MARTIN</creatorcontrib><description>본 발명은 서로 위에 배열된 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)을 갖는 가스 분배 디바이스에 관한 것이며, 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)은 가스 배출 구역들(Z1 내지 Z12)의, 몇 개의 레벨들로 서로 위에 배열된 가스 분배 용적부들(17) 내로 프로세스 가스를 공급할 수 있는 하나 이상의 공급 도관들(18)을 온으로 하거나 오프로 하거나 전환함으로써 조정될 수 있으며, 각각의 가스 유입 영역(E1 내지 E5)을 통해 각 경우에 하나의 균일한 프로세스 가스만이 프로세스 챔버(7) 내로 빠져나갈 수 있다.
A gas distribution device has a plurality of gas inlet regions that are arranged above each other and can be adjusted by switching on or off respective valves. The gas inlet regions can also be adjusted by switching over one or more feed conduits through which process gases can be fed into respective gas distribution volumes of gas outlet zones. The respective gas distribution volumes are arranged above each other at several levels. Only one uniform process gas can exit into a process chamber through each of the gas inlet regions.</description><language>kor</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220804&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20220109426A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76516</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220804&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20220109426A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>EICKELKAMP MARTIN</creatorcontrib><title>CVD 반응기를 위한 가스 유입 디바이스</title><description>본 발명은 서로 위에 배열된 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)을 갖는 가스 분배 디바이스에 관한 것이며, 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)은 가스 배출 구역들(Z1 내지 Z12)의, 몇 개의 레벨들로 서로 위에 배열된 가스 분배 용적부들(17) 내로 프로세스 가스를 공급할 수 있는 하나 이상의 공급 도관들(18)을 온으로 하거나 오프로 하거나 전환함으로써 조정될 수 있으며, 각각의 가스 유입 영역(E1 내지 E5)을 통해 각 경우에 하나의 균일한 프로세스 가스만이 프로세스 챔버(7) 내로 빠져나갈 수 있다.
A gas distribution device has a plurality of gas inlet regions that are arranged above each other and can be adjusted by switching on or off respective valves. The gas inlet regions can also be adjusted by switching over one or more feed conduits through which process gases can be fed into respective gas distribution volumes of gas outlet zones. The respective gas distribution volumes are arranged above each other at several levels. Only one uniform process gas can exit into a process chamber through each of the gas inlet regions.</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDByDnNReL1hxpu5E1_t2PB66R6FN3Na3k6do_BqQ8ObriVA3oI381oVXk-Z8nrDlDdztwDFeBhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvHeQkYGRkYGhgaWJkZmjMXGqACfCOYM</recordid><startdate>20220804</startdate><enddate>20220804</enddate><creator>EICKELKAMP MARTIN</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220804</creationdate><title>CVD 반응기를 위한 가스 유입 디바이스</title><author>EICKELKAMP MARTIN</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20220109426A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2022</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>EICKELKAMP MARTIN</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>EICKELKAMP MARTIN</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CVD 반응기를 위한 가스 유입 디바이스</title><date>2022-08-04</date><risdate>2022</risdate><abstract>본 발명은 서로 위에 배열된 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)을 갖는 가스 분배 디바이스에 관한 것이며, 복수의 가스 유입 영역들(E1 내지 E5)은 가스 배출 구역들(Z1 내지 Z12)의, 몇 개의 레벨들로 서로 위에 배열된 가스 분배 용적부들(17) 내로 프로세스 가스를 공급할 수 있는 하나 이상의 공급 도관들(18)을 온으로 하거나 오프로 하거나 전환함으로써 조정될 수 있으며, 각각의 가스 유입 영역(E1 내지 E5)을 통해 각 경우에 하나의 균일한 프로세스 가스만이 프로세스 챔버(7) 내로 빠져나갈 수 있다.
A gas distribution device has a plurality of gas inlet regions that are arranged above each other and can be adjusted by switching on or off respective valves. The gas inlet regions can also be adjusted by switching over one or more feed conduits through which process gases can be fed into respective gas distribution volumes of gas outlet zones. The respective gas distribution volumes are arranged above each other at several levels. Only one uniform process gas can exit into a process chamber through each of the gas inlet regions.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | kor |
| recordid | cdi_epo_espacenet_KR20220109426A |
| source | esp@cenet |
| subjects | CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION |
| title | CVD 반응기를 위한 가스 유입 디바이스 |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-19T21%3A26%3A28IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=EICKELKAMP%20MARTIN&rft.date=2022-08-04&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20220109426A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |