기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치

기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에서 제공된다. 예컨대, 방법은, 제1 기판 상에 금속의 제1 층을 증착하는 단계; 금속의 제1 층의 정상에 금속의 제2 층을 증착하는 단계; 제2 기판 상에 금속의 제3 층을 증착하는 단계; 금속의 제3 층의 정상에 금속의 제4 층을 증착하는 단계; 및 금속의 제2 층을 통해 확산되는 금속의 제1 층의 부분들 및 금속의 제4 층을 통해 확산되는 금속의 제3 층의 부분들에 의해 형성된 확산 층에 의해 제1 기판이 제2 기판에 본딩되게 하기에 충분한 조건들 하에서 금속의 제2 층을 금속의 제4 층과 접촉하게 하는 단계를 포함할 수 있다. Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, the method can include depositing a first layer of metal on a first substrate; depositing a second layer of metal atop the first layer of metal; depositing a third layer of metal on a second substrate; depositing a fourth layer of metal atop the third layer of metal; and bringing the second layer of material into contact with the fourth layer of material under conditions sufficient to cause the first substrate to be bonded to the second substrate by a diffusion layer formed by portions of the first layer of metal diffusing through the second layer of metal and portions of the third layer of metal diffusing through the fourth layer of metal.