ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE

According to one embodiment of the present invention, provided is an electrostatic discharge protection device. The electrostatic discharge protection device includes: an emitter region with a first conductive type disposed on a semiconductor substrate; a base region with a second conductive type, which is opposite to the first conductive type, surrounding around the emitter region; a first collector region with the first conductive type surrounding around the base region; a second collector region with the first conductive type surrounding around the first collector region; a drift region with the second conductive type surrounding the emitter region under the emitter region and located deep more than the base region; a well region with the second conductive type covering the base region under the base region and having a bonding interface with the drift area with the second conductive type; and a plurality of isolations disposed between the emitter region, the base region, and the first and second collector regions. The present invention can secure stable and high ESD currents (It2). 본 발명의 일 실시예는, 반도체 기판 상에 배치된 제1 도전형의 에미터 영역; 상기 에미터 영역의 주위를 둘러싸는, 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 베이스 영역; 상기 베이스 영역의 주위를 둘러싸는, 상기 제1 도전형의 제1 컬렉터 영역; 상기 제1 컬렉터 영역의 주위를 둘러싸는, 상기 제1 도전형의 제2 컬렉터 영역; 상기 에미터 영역의 아래에서 상기 에미터 영역을 둘러싸며, 상기 베이스 영역보다 깊게 위치하는 제2 도전형 드리프트 영역; 상기 베이스 영역의 아래에서 상기 베이스 영역을 둘러싸며, 상기 제2 도전형 드리프트 영역과의 접합 계면을 갖는 제2 도전형 웰 영역; 및 상기 에미터 영역, 상기 베이스 영역, 및 상기 제1 및 제2 컬렉터 영역들 사이에 배치된 복수의 아이솔레이션을 포함하는 정전기 방전 보호 소자를 제공한다.