에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법

본 발명의 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은, 챔버 내에 웨이퍼를 반입하고, 에피택셜 성장하고, 챔버 외로 웨이퍼를 반출하고, 그 후, 염화 수소 가스를 사용하여, 챔버 내를 클리닝하는 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로서, 클리닝을 실시한 후에, 염화 수소 가스의 누적 공급량에 기초하여, 챔버 내에 형성되고, 흑연을 포함하는 모재가 탄화 규소막으로 피복되어 이루어지는 부재를 교환할지의 여부를 판정하는 것을 특징으로 한다. A method of producing an epitaxial silicon wafer, including: loading a wafer into a chamber; performing epitaxial growth; unloading the epitaxial silicon wafer from the chamber; and then cleaning the inside of the chamber using hydrochloric gas. After the cleaning is performed, whether components provided in the chamber are to be replaced or not is determined based on the cumulative amount of the hydrochloric gas supplied. The components have a base material that includes graphite and is coated with a silicon carbide film.