강화된 드레인을 갖는 픽셀

일부 실시예는 픽셀을 포함하는 집적 회로와 관련되는데, 픽셀은: 광검출 영역; 및 광검출 영역 외부의 픽셀의 반도체 영역 내로부터의 전하 캐리어들을 폐기하도록 구성된 드레인을 포함한다. 일부 실시예는 픽셀을 포함하는 집적 회로와 관련되는데, 픽셀은: 광검출 영역; 및 광검출 영역으로부터의 전하 캐리어들을 폐기하도록 구성된 드레인을 포함하고, 여기서 드레인은 반도체 영역을 포함하고, 반도체 영역은 금속 콘택트에 의해 접촉된다. 일부 실시예는 픽셀을 포함하는 집적 회로와 관련되는데, 픽셀은: 광검출 영역; 및 광검출 영역으로부터의 전하 캐리어들을 폐기하도록 구성된 드레인을 포함하고, 여기서 드레인은 폴리실리콘 전극을 포함하지 않는 전도성 경로를 통해 전기적 접촉이 이루어지는 반도체 영역을 포함한다. Some embodiments relate to an integrated circuit, comprising: a pixel, comprising: a photodetection region; and a drain configured to discard charge carriers from within a semiconductor region of the pixel outside of the photodetection region. Some embodiments relate to an integrated circuit, comprising: a pixel, comprising: a photodetection region; and a drain configured to discard charge carriers from the photodetection region, wherein the drain comprises a semiconductor region and the semiconductor region is contacted by a metal contact. Some embodiments relate to an integrated circuit, comprising: a pixel, comprising: a photodetection region; and a drain configured to discard charge carriers from the photodetection region, wherein the drain comprises a semiconductor region that to which electrical contact is made through a conductive path that does not include a polysilicon electrode.