DE-ENERGIZING METHOD AND PLASMA PROCESSING SYSTEM

이상 방전의 발생을 억제하면서 전압 강하 시간을 조정할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 따른 제전 방법은, 정전 척에 내장된 흡착 전극에 흡착 전압을 인가함으로써 상기 정전 척에 흡착된 기판을 처리 플라스마로 처리한 후에 상기 정전 척 및 상기 기판을 제전하는 방법이며, (a) 상기 처리 후, 제전 플라스마를 생성하는 공정과, (b) 상기 공정 (a) 후, 상기 흡착 전극에 인가된 상기 흡착 전압을 정지하는 공정과, (c) 상기 공정 (b) 후, 상기 흡착 전극을, 저항부를 통하여 접지된 접지 라인에 접속하는 공정이고, 상기 저항부는 적어도 제1 저항값과 해당 제1 저항값보다 작은 제2 저항값 중 어느 저항값을 설정 가능한 공정과, (d) 상기 공정 (c) 전에, 상기 저항부의 저항값을 선택하는 공정과, (e) 상기 공정 (d)와 상기 공정 (c) 사이에 있어서, 상기 저항부의 저항값을, 상기 공정 (d)에 있어서 선택된 상기 저항값으로 설정하는 공정을 갖는다. To provide a technique capable of adjusting a voltage drop time while suppressing an occurrence of abnormal discharge. A static elimination method performs static elimination of an electrostatic chuck and a substrate after processing the substrate attracted by the electrostatic chuck with processing plasma by applying attraction voltage to an attraction electrode included in the electrostatic chuck. The method includes the steps of: (a) generating static elimination plasma after the processing; (b) stopping the attraction voltage applied to the attraction electrode after the step (a); (c) connecting the attraction electrode to a ground line grounded through a resistance part after the step (b), and enabling the resistance part to set a resistance value to at least either a first resistance value or a second resistance value smaller than the first resistance value; (d) selecting the resistance value of the resistance part before the step (c); and (e) setting the resistance value of the resistance part to the resistance value selected in the step (d) between the step (d) and the step (c).