원자 스케일 처리를 위한 초고순도 조건

원자 스케일 처리 장치가 제공된다. 장치는 반응기(100) 및 유도 결합 플라즈마 소스(10)를 포함할 수 있다. 반응기는 내부 표면들의 일부가 반응기의 내부 체적(156)을 형성하도록 내부 표면(154) 및 외부 표면(152)을 가질 수 있다. 반응기의 내부 체적은 기판(118)을 지지하기 위한 고정 조립체(158)를 포함할 수 있으며, 여기서 내부 체적 내의 각 배경 불순물의 부분 압력은 원자 스케일 처리 동안 표면 반응들에서 상기 불순물들의 역할을 감소시키기 위해 10-6 Torr 미만일 수 있다. An apparatus for atomic scale processing is provided. The apparatus comprising a reactor (100) having inner and outer surfaces; wherein at least a portion of the inner surfaces define an internal volume (156) of the reactor (100); a fixture assembly (158) positioned within the internal volume (156) of the reactor (100) having a surface configured to hold a substrate within the internal volume (156) of the reactor (100); and an inductively coupled plasma source. The inductively coupled plasma source and the reactor (100) are connected at a first connection point (112). A base pressure of the reactor (100) is between approximately 10-4 and 10-2 Torr. A partial pressure of each background impurity within the internal volume (156) of the reactor (100) is below approximately 10-6 Torr to reduce said background impurities role in surface reactions before, during and after atomic scale processing.