APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING APPARATUS

Disclosed is a substrate processing device. The device comprises: a process chamber having a processing space inside; a support unit that supports a substrate in the processing space; a gas supply unit that supplies a process gas into the processing space; and an RF power supply that supplies an RF signal to excite the process gas to a plasma state, wherein the support unit comprises an edge ring that surrounds the substrate, a coupling ring disposed on a lower part of the edge ring and comprising an electrode inside, and a cable connected to the electrode, and an end of the cable may be connected to the ground. The present invention is capable of allowing harmonic waves to be controlled through an adjustment of a cable length. 기판 처리 장치가 개시된다. 상기 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스공급유닛과; 상기 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시키도록 RF 신호를 공급하는 RF 전원;을 포함하고, 상기 지지 유닛은 상기 기판을 둘러싸는 에지 링; 상기 에지 링의 하부에 배치되며, 내부에 전극을 포함하는 커플링 링; 및 상기 전극에 연결되는 케이블;을 포함하고, 상기 케이블의 끝단은 접지로 연결될 수 있다.