에지 보호층 및 잔류 금속 하드마스크 성분을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법
개시된 주제는 웨이퍼/기판의 에지 및 적어도 하나의 근접 표면으로부터 에지 보호층 및 잔류 하드마스크 성분(예컨대, 금속)을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법에 관한 것으로, 여기서 린스는 아세트산 및/또는 또는 R1 및R2가 독립적으로 수소 또는 할로겐이고 R3이 할로겐인 하기 구조(A)의 할로겐화 아세트산: 및 (ii) 각각의 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh가 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 할로겐화 알킬기, 치환 또는 비치환된 알킬 카르보닐기, 할로겐 또는 히드록...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | MULLEN SALEM K RAHMAN M. DALIL CHO JOONYEON |
| description | 개시된 주제는 웨이퍼/기판의 에지 및 적어도 하나의 근접 표면으로부터 에지 보호층 및 잔류 하드마스크 성분(예컨대, 금속)을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법에 관한 것으로, 여기서 린스는 아세트산 및/또는 또는 R1 및R2가 독립적으로 수소 또는 할로겐이고 R3이 할로겐인 하기 구조(A)의 할로겐화 아세트산: 및 (ii) 각각의 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh가 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 할로겐화 알킬기, 치환 또는 비치환된 알킬 카르보닐기, 할로겐 또는 히드록시기인 하기 구조 (B)를 갖는 화합물을 포함한다. JPEGpct00071.jpg2735(A) JPEGpct00072.jpg6143 (B)
The disclosed subject matter relates to a rinse and methods of use thereof for removing an edge protection layer and residual hardmask components (e.g., metals) from the edge and at least one proximate surface of a wafer/substrate where the rinse includes acetic acid and/or a halogenated acetic acid of structure (A) wherein R1 and R2 are independently hydrogen or a halogen and R3 is a halogen and (ii) a compound having structure (B) wherein each of Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg and Rh may independently be hydrogen, a substituted or an unsubstituted alkyl group, a substituted or an unsubstituted halogenated alkyl group, a substituted or an unsubstituted alkyl carbonyl group, a halogen, and a hydroxy group. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20220032581A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20220032581A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20220032581A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZCh4M33Cm-UNCq83b3k7Y8ebHVsVXm_oV3gzb8rrpTMUXu3oeNPWq_B26ozXk-e8Xt7xpmvJ28Y1Cm9aNr7e1vJmbovCmwVzXm3cAJR_tWODwps5LW-nzlF4vWwDUB3EmLlb3sydofCmac2bWSuBIitfb5rKw8CalphTnMoLpbkZlN1cQ5w9dFML8uNTiwsSk1PzUkvivYOMDIyMDAyMjUwtDB2NiVMFAFCuYuw</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>에지 보호층 및 잔류 금속 하드마스크 성분을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법</title><source>esp@cenet</source><creator>MULLEN SALEM K ; RAHMAN M. DALIL ; CHO JOONYEON</creator><creatorcontrib>MULLEN SALEM K ; RAHMAN M. DALIL ; CHO JOONYEON</creatorcontrib><description>개시된 주제는 웨이퍼/기판의 에지 및 적어도 하나의 근접 표면으로부터 에지 보호층 및 잔류 하드마스크 성분(예컨대, 금속)을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법에 관한 것으로, 여기서 린스는 아세트산 및/또는 또는 R1 및R2가 독립적으로 수소 또는 할로겐이고 R3이 할로겐인 하기 구조(A)의 할로겐화 아세트산: 및 (ii) 각각의 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh가 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 할로겐화 알킬기, 치환 또는 비치환된 알킬 카르보닐기, 할로겐 또는 히드록시기인 하기 구조 (B)를 갖는 화합물을 포함한다. JPEGpct00071.jpg2735(A) JPEGpct00072.jpg6143 (B)
The disclosed subject matter relates to a rinse and methods of use thereof for removing an edge protection layer and residual hardmask components (e.g., metals) from the edge and at least one proximate surface of a wafer/substrate where the rinse includes acetic acid and/or a halogenated acetic acid of structure (A) wherein R1 and R2 are independently hydrogen or a halogen and R3 is a halogen and (ii) a compound having structure (B) wherein each of Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg and Rh may independently be hydrogen, a substituted or an unsubstituted alkyl group, a substituted or an unsubstituted halogenated alkyl group, a substituted or an unsubstituted alkyl carbonyl group, a halogen, and a hydroxy group.</description><language>kor</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220315&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20220032581A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220315&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20220032581A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MULLEN SALEM K</creatorcontrib><creatorcontrib>RAHMAN M. DALIL</creatorcontrib><creatorcontrib>CHO JOONYEON</creatorcontrib><title>에지 보호층 및 잔류 금속 하드마스크 성분을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법</title><description>개시된 주제는 웨이퍼/기판의 에지 및 적어도 하나의 근접 표면으로부터 에지 보호층 및 잔류 하드마스크 성분(예컨대, 금속)을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법에 관한 것으로, 여기서 린스는 아세트산 및/또는 또는 R1 및R2가 독립적으로 수소 또는 할로겐이고 R3이 할로겐인 하기 구조(A)의 할로겐화 아세트산: 및 (ii) 각각의 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh가 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 할로겐화 알킬기, 치환 또는 비치환된 알킬 카르보닐기, 할로겐 또는 히드록시기인 하기 구조 (B)를 갖는 화합물을 포함한다. JPEGpct00071.jpg2735(A) JPEGpct00072.jpg6143 (B)
The disclosed subject matter relates to a rinse and methods of use thereof for removing an edge protection layer and residual hardmask components (e.g., metals) from the edge and at least one proximate surface of a wafer/substrate where the rinse includes acetic acid and/or a halogenated acetic acid of structure (A) wherein R1 and R2 are independently hydrogen or a halogen and R3 is a halogen and (ii) a compound having structure (B) wherein each of Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg and Rh may independently be hydrogen, a substituted or an unsubstituted alkyl group, a substituted or an unsubstituted halogenated alkyl group, a substituted or an unsubstituted alkyl carbonyl group, a halogen, and a hydroxy group.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZCh4M33Cm-UNCq83b3k7Y8ebHVsVXm_oV3gzb8rrpTMUXu3oeNPWq_B26ozXk-e8Xt7xpmvJ28Y1Cm9aNr7e1vJmbovCmwVzXm3cAJR_tWODwps5LW-nzlF4vWwDUB3EmLlb3sydofCmac2bWSuBIitfb5rKw8CalphTnMoLpbkZlN1cQ5w9dFML8uNTiwsSk1PzUkvivYOMDIyMDAyMjUwtDB2NiVMFAFCuYuw</recordid><startdate>20220315</startdate><enddate>20220315</enddate><creator>MULLEN SALEM K</creator><creator>RAHMAN M. DALIL</creator><creator>CHO JOONYEON</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220315</creationdate><title>에지 보호층 및 잔류 금속 하드마스크 성분을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법</title><author>MULLEN SALEM K ; RAHMAN M. DALIL ; CHO JOONYEON</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20220032581A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2022</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MULLEN SALEM K</creatorcontrib><creatorcontrib>RAHMAN M. DALIL</creatorcontrib><creatorcontrib>CHO JOONYEON</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MULLEN SALEM K</au><au>RAHMAN M. DALIL</au><au>CHO JOONYEON</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>에지 보호층 및 잔류 금속 하드마스크 성분을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법</title><date>2022-03-15</date><risdate>2022</risdate><abstract>개시된 주제는 웨이퍼/기판의 에지 및 적어도 하나의 근접 표면으로부터 에지 보호층 및 잔류 하드마스크 성분(예컨대, 금속)을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법에 관한 것으로, 여기서 린스는 아세트산 및/또는 또는 R1 및R2가 독립적으로 수소 또는 할로겐이고 R3이 할로겐인 하기 구조(A)의 할로겐화 아세트산: 및 (ii) 각각의 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh가 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 할로겐화 알킬기, 치환 또는 비치환된 알킬 카르보닐기, 할로겐 또는 히드록시기인 하기 구조 (B)를 갖는 화합물을 포함한다. JPEGpct00071.jpg2735(A) JPEGpct00072.jpg6143 (B)
The disclosed subject matter relates to a rinse and methods of use thereof for removing an edge protection layer and residual hardmask components (e.g., metals) from the edge and at least one proximate surface of a wafer/substrate where the rinse includes acetic acid and/or a halogenated acetic acid of structure (A) wherein R1 and R2 are independently hydrogen or a halogen and R3 is a halogen and (ii) a compound having structure (B) wherein each of Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg and Rh may independently be hydrogen, a substituted or an unsubstituted alkyl group, a substituted or an unsubstituted halogenated alkyl group, a substituted or an unsubstituted alkyl carbonyl group, a halogen, and a hydroxy group.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | kor |
| recordid | cdi_epo_espacenet_KR20220032581A |
| source | esp@cenet |
| subjects | APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | 에지 보호층 및 잔류 금속 하드마스크 성분을 제거하기 위한 린스 및 이의 사용 방법 |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-05T05%3A16%3A32IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=MULLEN%20SALEM%20K&rft.date=2022-03-15&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20220032581A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |