벌크 GaN 결정, c 면 GaN 웨이퍼 및 벌크 GaN 결정의 제조 방법

c 면의 만곡의 정도가 저감된 벌크 GaN 결정을 제공하는 것. (0001) 결정면으로부터의 경사가 0 도 이상 10 도 이하인 면, 및 (000-1) 결정면으로부터의 경사가 0 도 이상 10 도 이하인 면에서 선택되는 주면을 갖고, 그 주면이, 하기의 조건 (i) 및 (ii) 를 충족하는 특정 주면 A 인, 벌크 GaN 결정. (i) 그 특정 주면 A 상을 제 1 방향으로 연장되는 길이 80 ㎜ 의 가상적인 선분인 제 1 라인을 그을 수 있고, 그 제 1 라인 상에 5 ㎜ 피치로 나열된 17 개의 측정점 사이에 있어서의, 오메가축을 그 제 1 방향과 수직으로 하여 측정된 당해 GaN 결정의 (002) XRD 로킹 커브의 피크 각도의 최대값과 최소값의 차가 0.05 도 이하이다 ; (ii) 그 특정 주면 A 상을 그 제 1 방향과 수직인 제 2 방향으로 연장되는 길이 80 ㎜ 의 가상적인 선분인 제 2 라인을 그을 수 있고, 그 제 2 라인 상에 5 ㎜ 피치로 나열된 17 개의 측정점 사이에 있어서의, 오메가축을 그 제 2 방향과 수직으로 하여 측정된 당해 GaN 결정의 (002) XRD 로킹 커브의 피크 각도의 최대값과 최소값의 차가 0.05 도 이하이다. Provided is a bulk GaN crystal in which the degree of curvature of the c-plane is reduced. The bulk GaN crystal includes a main surface selected from a surface inclined at 0° to 10° from the (0001) crystal plane and a surface inclined at 0° to 10° from the (000-1) crystal plane, and the main surface is a specific main surface A that satisfies the following conditions (i) and (ii): (i) a first line, which is a 80 mm-long virtual line segment extending in a first direction on the specific main surface A, can be drawn, and a difference between a maximum value and a minimum value of peak angles in (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, which is measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the first line with the omega axis being perpendicular to the first direction, is 0.05° or less; and (ii) a second line, which is a 80 mm-long virtual line segment extending in a second direction perpendicular to the first direction on the specific main surface A, can be drawn, and a difference between a maximum value and a minimum value of peak angles in (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, which is measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the second line with the omega axis being perpendicular to the second direction, is 0.05° or less.