LATERALLY-DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION APPLICATIONS

Structures for a laterally-diffused metal-oxide-semiconductor device, and methods of forming a structure for a laterally-diffused metal-oxide-semiconductor device. First and second source/drain regions are formed in a substrate. A gate electrode is formed over the substrate. An interconnect structure is over the substrate. A doped region is arranged in the substrate below the first source/drain region. The gate electrode is laterally positioned between the first and second source/drain regions. The interconnect structure includes a contact coupled to the first source/drain region. The doped region has a lateral edge that is laterally separated from the contact by a predetermined distance. 측방향-확산형 금속-산화물-반도체 디바이스를 위한 구조체들, 및 측방향-확산형 금속-산화물-반도체 디바이스를 위한 구조체를 형성하는 방법들. 제1 및 제2 소스/드레인 구역들이 기판에 형성되고, 게이트 전극이 기판 위에 형성되고, 상호연결 구조체가 기판 위에 있고, 도핑된 구역이 제1 소스/드레인 구역 아래에서 기판에 배열된다. 게이트 전극은 제1 및 제2 소스/드레인 구역들 사이에 측방향으로 위치되고, 상호연결 구조체는 제1 소스/드레인 구역에 연결된 콘택을 포함한다. 도핑된 구역은 콘택으로부터 소정의 거리만큼 측방향으로 이격된 측면 에지를 갖는다.