Metal-Assisted Chemical Etching Process for Silicon Substrate

The present invention relates to a metal catalyst wet etching method of a silicon substrate and, more specifically, to a metal catalyst wet etching method of a silicon substrate which etches a substrate by a redox reaction of the silicon substrate, on which a metal catalyst is deposited, and an etchant, thereby forming a convenient and economical high aspect ratio nano-structure compared to a dry-etching method having high costs and low processing efficiency. According to the present invention, the metal catalyst wet etching method of the silicon substrate comprises: a deposition step (S100) of depositing a metal catalyst on the silicon substrate; and an etching step (S200) of allowing the Si substrate, on which the metal catalyst is deposited, to react with an etchant to be etched. 본 발명은 실리콘 기판의 금속촉매습식식각 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속촉매가 증착된 실리콘 기판과 식각액의 산화환원반응에 의해 기판을 식각함으로써 고비용이면서 공정효율이 낮은 건식식각법에 비해 공정이 간편하고 경제적으로 고종횡비(high aspect ratio)나노구조를 형성할 수 있는 실리콘 기판의 금속촉매습식식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 기판의 금속촉매습식식각 방법은 실리콘 기판상에 금속촉매를 증착하는 증착단계(S100);와 금속촉매가 증착된 Si 기판을 식각액과 반응시켜 식각하는 식각단계(S200)를 포함한다.